Name: CSD88539NDT
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CSD88539NDT

Artikelnummer:

CSD88539NDT

Hersteller / Marke:

N/A

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

Datenblätte:

None

RoHs Status:

ROHS3 -konform

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Spezifikationen
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~~CSD88539NDT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments CSD88539NDT.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3.6V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 5A, 10V
Leistung - max	2.1W
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	741pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.4nC @ 10V
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	15A
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer	CSD88539
CSD88539NDT Einzelheiten PDF [English]	CSD88539NDT PDF - EN.pdf

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